[发明专利]一种制作晶硅高效太阳能电池的方法有效
申请号: | 200910083501.X | 申请日: | 2009-05-06 |
公开(公告)号: | CN101882643A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;李昊峰;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制作晶硅高效太阳能电池的方法,包括:在晶硅基片表面制备绒面结构;采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构;利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构;利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜;丝网印刷完成正、负电极的制作;合金化,最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。本发明利用由大生产线上的工艺手段制备出的PN结晶硅太阳能电池,在其表面制备硅纳米晶,通过硅纳米晶的能带调节作用,使晶硅电池能更有效利用太阳光波长,进而提高晶硅电池的效率。本发明与现有成熟的大规模生产技术相兼容,具有生产工艺简单,易于产业化等特点,可以有效地降低成本,获得高效晶硅太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 制作 高效 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、在晶硅基片表面制备绒面结构;步骤2、采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构;步骤3、利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构;步骤4、利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜;步骤5、丝网印刷完成正、负电极的制作;步骤6、合金化,最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的