[发明专利]一种制作晶硅高效太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 200910083501.X 申请日: 2009-05-06
公开(公告)号: CN101882643A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 贾锐;朱晨昕;陈晨;李维龙;李昊峰;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制作晶硅高效太阳能电池的方法,包括:在晶硅基片表面制备绒面结构;采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构;利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构;利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜;丝网印刷完成正、负电极的制作;合金化,最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。本发明利用由大生产线上的工艺手段制备出的PN结晶硅太阳能电池,在其表面制备硅纳米晶,通过硅纳米晶的能带调节作用,使晶硅电池能更有效利用太阳光波长,进而提高晶硅电池的效率。本发明与现有成熟的大规模生产技术相兼容,具有生产工艺简单,易于产业化等特点,可以有效地降低成本,获得高效晶硅太阳能电池。
搜索关键词: 一种 制作 高效 太阳能电池 方法
【主权项】:
一种制作晶硅高效太阳能电池的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、在晶硅基片表面制备绒面结构;步骤2、采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构;步骤3、利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构;步骤4、利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜;步骤5、丝网印刷完成正、负电极的制作;步骤6、合金化,最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。
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