[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200910083981.X | 申请日: | 2009-05-13 |
公开(公告)号: | CN101887897A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 刘翔 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/10;H01L21/84;H01L21/768;H01L21/027;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 曲鹏 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线和数据线,栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管,薄膜晶体管的TFT沟道区域的上方形成有遮挡层。制造方法包括:沉积栅金属薄膜,形成栅线和栅电极的图形;沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜,形成有源层的图形;沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜,形成像素电极、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形;沉积钝化层和遮挡薄膜,形成遮挡层、栅线接口过孔和数据线接口过孔的图形,遮挡层位于TFT沟道区域的上方。本发明在不增加生产工艺的前提下避免了漏电流的产生,并提高了单位面积存储电容的大小。 | ||
搜索关键词: | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种TFT-LCD阵列基板,包括栅线和数据线,所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管的TFT沟道区域的上方形成有遮挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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