[发明专利]一种硅基有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910084618.X 申请日: 2009-05-22
公开(公告)号: CN101894915A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 秦国刚;李延钊;陈挺;徐万劲;冉广照 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 李稚婷
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种硅基有机电致发光器件及其制备方法,该器件的阳极是一含产生中心的n-Si薄膜电极。在衬底上直接溅射n-Si超薄层,或者沉积一导电薄层后再溅射n-Si超薄层,然后通过金属诱导晶化形成n-Si薄膜,随后在其中引入产生中心,用这种含有产生中心的n-Si薄膜作为OLED阳极,通过调整产生中心的浓度来调整空穴注入电流的大小以匹配电子注入电流,提高了硅基电致发光效率,同时减少了硅的用量,降低了器件生产成本,从而使硅基有机电致发光器件更适合产业化。
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
一种硅基有机电致发光器件,包括衬底、阳极、发光层和阴极,其特征是,所述阳极是一含产生中心的n‑Si薄膜电极。
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