[发明专利]锂二次电池用单质硫复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910085136.6 | 申请日： | 2009-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101562244A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;吴生先;陈人杰;陈实;李丽;陈君政;王国庆 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/36;H01M4/38 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 100081北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种锂二次电池正极用单质硫复合材料的制备方法，属于电化学电池领域。该复合材料是由导电性能良好的、具有较高比表面积和强吸附能力的碳材料和单质硫组成。其制备方法是将单质硫和碳材料充分混合均匀后，装入特殊设计的可抽真空的不锈钢密封罐中，在真空或惰性气体存在下采用密封分段加热的方法使单质硫熔化并升华然后沉积到碳材料基体上，形成结构均匀的复合产物。本发明方法制备的单质硫复合材料电化学活性高、放电比容量大以及电池循环性能好，在锂离子二次电池、锂硫电池等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 单质 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锂二次电池正极用单质硫复合材料的制备方法，其特征在于：(1)称取单质硫和碳材料，并将其混合均匀；(2)将混合物装入不锈钢密封罐中；(3)加热密封反应罐中的混合物，使单质硫熔化并扩散至碳材料基体中；(4)升高温度使单质硫发生升华并进一步沉积至碳材料基体中；(5)自然冷却至室温，得到单质硫复合材料。
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