[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910085506.6 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN101894807A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘圣烈;崔承镇;宋泳锡 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/027;H01L21/311;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该制造方法包括：在透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括TFT沟道和半导体层的图形；沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜，通过第三构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形。本发明通过三次构图工艺制造了顶栅极结构的TFT-LCD阵列基板，相比现有的三次构图工艺制造阵列基板的方法，本发明无需进行离地剥离工艺，极大的简化了工艺难度，提高了产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括栅电极区域、数据线区域、半导体层区域，源电极区域、漏电极区域、栅线区域及像素电极区域，其特征在于，包括：步骤1：在透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜，通过第三构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
