[发明专利]对晶片浅沟道隔离槽加工过程进行控制的方法有效
| 申请号： | 200910085735.8 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901779A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对晶片浅沟道隔离槽加工过程进行控制的方法，包括如下步骤：预先获取浅沟道隔离槽(STI)深度与主蚀刻时间之间的线性关系；对通过主蚀刻过程得到的晶片STI深度进行测量，得到实际STI深度与目标STI深度的偏移量，根据所述偏移量以及预先获取的所述线性关系，得到对主蚀刻时间进行主蚀刻时间的调整值，根据所述调整值对主蚀刻时间进行调整。本发明能够使不同批次生产的同种晶片的STI深度的变化范围在可接受的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 沟道 隔离 加工 过程 进行 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种对晶片浅沟道隔离槽加工过程进行控制的方法，包括如下步骤：预先获取浅沟道隔离槽STI深度与主蚀刻时间之间的线性关系；对通过主蚀刻过程得到的晶片STI深度进行测量，得到实际STI深度与目标STI深度的偏移量，根据所述偏移量以及预先获取的所述线性关系，得到对主蚀刻时间进行主蚀刻时间的调整值，根据所述调整值对主蚀刻时间进行调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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