[发明专利]一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200910086401.2 | 申请日： | 2009-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101570400A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘丰珍;朱美芳;马艳红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院研究生院 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C04B41/50;C23C16/44;C23C16/24;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 100049北京市海淀区玉泉路*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法，属于纳米硅材料的制备与应用技术领域。首先将清洗后的衬底放入真空腔的衬底架上，以高纯钨丝或钽丝作为热丝源，加热热丝，向真空腔中通入氢气和硅烷的混合气体作为反应气体，入射气流穿过所述的热丝源，衬底旋转。本发明方法采用掠角的热丝化学气相沉积技术，以硅烷和氢气作为反应气体，通过热丝分解后，掠角入射到衬底上，利用影蔽效应，在固定或旋转的衬底上定向生长倾斜或垂直的硅纳米棒。氢气的加入有利于促进纳米棒的晶化。用本方法制备硅纳米棒阵列，制备工艺简单，衬底温度低，可实现纳米棒的定向生长、低温晶化，可应用于太阳电池、微电子和传感器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶化硅 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶化硅纳米棒阵列的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)将清洗后的衬底放入真空腔的衬底架上，使真空腔的真空度为1×10-3帕-1×10-4帕；(2)在上述真空腔中，以高纯钨丝或钽丝作为热丝源，热丝源与所述的衬底之间的距离为7～17cm，使热丝温度达到1600-2000℃；(3)向真空腔中通入氢气和硅烷的混合气体作为反应气体，氢气和硅烷的比例为：氢气∶硅烷＝1-5∶1，入射气流穿过所述的热丝源，入射气流与衬底法线之间的夹角为75°-85°，反应气体的气压为0.01-0.3帕，衬底旋转速率为0-30转/分。
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