[发明专利]多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪有效
| 申请号： | 200910086487.9 | 申请日： | 2009-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101571508A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 王晓浩;唐飞;李华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;G01N27/66;G01N27/70 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邸更岩 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪，属于对生化物质进行现场分析检测设备。该迁移谱仪由上基片、中间基片和下基片构成第一气体通道和第二气体通道。离子源位于第一气体通道，分离电极由上分离电极和下分离电极组成，上分离电极和下分离电极分别位于上基片和下基片上。在分离电场的作用下，带电样品离子进入第二气体通道，并在纯净载气的作用下进入迁移区进行过滤分离。离子源和迁移区中的载气流速可分别通过样品载气和纯净载气进行调节。本发明将中性分子和带电的样品离子在进入迁移区之前进行分离，避免了迁移区中分子离子反应的发生；离子源和迁移区中的载气流速可分别调节，提高了离子源的电离效率和迁移区的离子分离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 平板 结构 高场非 对称 波形 离子 迁移 | ||
【主权项】：
1、一种多层平板结构高场非对称波形离子迁移谱仪，其特征在于：该高场非对称波形离子迁移谱仪包括离子源(3)、迁移区(14)、分离电极、上基片(7)、中间基片(17)、下基片(20)和检测单元(10)；所述的上基片(7)和中间基片(17)构成第一气体通道(6)，中间基片(17)和下基片(20)构成第二气体通道(12)；所述的迁移区位于第二气体通道(12)内，迁移区内设有迁移区上电极(13)和迁移区下电极(11)，检测单元(10)位于迁移区的后端；所述的离子源(3)位于第一气体通道(6)的入口处；所述分离电极由上分离电极(4)和下分离电极(15)组成，上分离电极(4)位于上基片(7)上，紧邻离子源(3)出口；下分离电极(15)位于下基片(20)上；所述的中间基片(17)上设有离子通道(16)，下分离电极(15)通过离子通道(16)与上分离电极(4)对称布置。
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