[发明专利]平面工艺的三维集成电路有效
| 申请号： | 200910086878.0 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101635298A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 王钊;田文博;尹航 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 | 代理人： | 陈 霁 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及三维集成电路，尤其涉及平面工艺的三维集成电路。本发明充分利用了各种不同类别器件在空间层次上可以重叠的特性。通过不同层次器件共享区域，以及特定条件下同一层次不同深度器件共享区域，该特定条件是其中一个器件P型区域或P型电阻最高电位低于另一个器件N型区域或N型电阻最低电位，进而实现同一片晶圆上的三维集成电路。本发明大大节省了芯片面积，降低了芯片成本，特别适用于各种模拟电路中。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 工艺 三维集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括同一晶圆上的第一器件和第二器件；所述集成电路具有多个层次；且所述第一器件和第二器件位于所述多个层次中的两层或两层以上，以便该第一器件和第二器件处于不同层次，则该第一器件与第二器件共享区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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