[发明专利]一种硒化镉纳米球的合成方法无效
申请号: | 200910086943.X | 申请日: | 2009-06-12 |
公开(公告)号: | CN101580233A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 曹化强;肖育江;刘开宇 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04;B82B3/00 |
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地址: | 100084北京市100*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种硒化镉纳米球的合成方法,属于半导体纳米材料制备领域。该方法是以硫酸镉(CdSO4)、硒吩(C4H4Se)、苯胺(C6H5NH2)为原料,在室温下,配制包括硫酸镉(CdSO4)、硒吩(C4H4Se)的苯胺(C6H5NH2)的混合液,作为反应起始液。将该反应起始液放置一个聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,在240°~260℃温度下加热5~24小时,即可得到硒化镉纳米球。该方法合成的硒化镉纳米球是利用有机分子—硒吩(C4H4Se)为原料之一参与反应实现的。这为研究半导体硒化镉性质和实际用途提供了新的合成方法和新材料。无论在学术研究还是在应用方面,均具有重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 硒化镉 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种硒化镉纳米球的合成方法,其特征在于该方法按如下步骤进行:(1)以硫酸镉(CdSO4)、硒吩(C4H4Se)、苯胺(C6H5NH2)为原料,在室温下,配制包括硫酸镉(CdSO4)、硒吩(C4H4Se)的苯胺混合液,作为反应起始液,其中硝酸银(AgNO3)浓度范围为0.5~2毫摩尔/40毫升,硒吩(C4H4Se)浓度范围为0.5~2毫摩尔/40毫升;(2)将所述混合溶液放置于一个聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜内,在240°~260℃温度下加热5~24小时;(3)将反应后得到的沉淀物首先用去离子水和无水乙醇交替洗涤,洗涤两个循环;然后再用1M HC处理0.5h,去离子水洗两次;接着用浓碱(20M NaOH)处理2h,去离子水洗四次;最后再用无水乙醇洗一次,之后将收集到的样品然后放入干燥箱(60℃)中进行干燥6小时,即得到硒化镉纳米球。
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