[发明专利]具有检错/纠错电路的非挥发存储器及其读写数据的方法有效

专利信息
申请号: 200910087520.X 申请日: 2009-06-23
公开(公告)号: CN101930799A 公开(公告)日: 2010-12-29
发明(设计)人: 苏如伟 申请(专利权)人: 北京芯技佳易微电子科技有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C29/42;G11C16/26;G11C16/06
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 龙洪;霍育栋
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种具有ECC电路的非挥发存储器及其读写数据的方法,存储器内部以ECC码字为单位进行读写操作。其中写入数据的方法包括:获得外部输入数据的首地址及末地址并缓存外部输入数据;若外部输入数据所在的ECC数据组有部分字节不需要被替换,则从非挥发存储器的存储阵列中获得该不需要被替换的字节即回写数据;将外部输入数据,或者外部输入数据及回写数据,组成新的ECC数据组并缓存;为新的ECC数据组生成对应的校验位;将新的ECC数据组及对应的校验位写入到存储阵列。本发明在数据写入时只对对应的ECC码字进行擦除操作,本发明提高了存储的灵活性以及存储空间的利用效率。
搜索关键词: 具有 检错 纠错 电路 挥发 存储器 及其 读写 数据 方法
【主权项】:
一种向具有检错/纠错电路的非挥发存储器连续写入数据的方法,其特征在于,该方法包括:获得外部输入数据的首地址及末地址;根据所述首地址及末地址缓存所述外部输入数据;若所述外部输入数据所在的检错/纠错数据组有部分字节不需要被替换,则从所述非挥发存储器的存储阵列中获得该不需要被替换的字节即回写数据;将所述外部输入数据,或者所述外部输入数据及所述回写数据,组成新的检错/纠错数据组并缓存,一个时钟周期缓存一个所述新的检错/纠错数据组;为所述新的检错/纠错数据组生成对应的校验位;将所述新的检错/纠错数据组及对应的校验位写入到所述存储阵列。
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