[发明专利]内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器

摘要

本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同时将缺陷型光子晶体结构引入到垂直腔面发射半导体激光器的上DBR中，通过合理的优化光子晶体周期，空气孔径，刻蚀深度，器件直径，氧化孔径等，得到了单模工作氧化孔径几十微米、单模功率几个毫瓦、串联电阻几十欧姆、边模抑制40分贝以上的内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体面发射激光器。

主权项

1.内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于：从下至上依次为：背面电极、衬底、下DBR、由反向隧道结级联的多个单有源区构成的多有源区；氧化限制层，氧化限制层中心为氧化孔径为10-30μm的氧化孔；P型欧姆接触层、上金属电极、上DBR；在上DBR的端面刻蚀1-3微米深度制作出缺陷型光子晶体结构；缺陷型光子晶体结构的周期为1-7个微米，占空比小于0.7；光子晶体缺陷腔被至少3圈孔径为0.2-5微米空气孔包围。