[发明专利]控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法。结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属层；在极薄金属层结构上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质叠层结构上沉积的金属栅层。制造方法是在NMOS和PMOS器件区域的高k栅介质层内部分别沉积极薄金属层，利用该极薄金属层在高k栅介质层内部形成的正或负电荷来调整器件的平带电压，进而控制器件的阈值电压。利用本发明，不仅可以增强CMOS器件中高k栅介质和SiO2界面层间的界面偶极子，而且还可以很好的控制高k栅介质层内部的固定电荷类型和数量，有效地控制器件的阈值电压。

主权项

一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构，其特征在于，该结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄金属层；在极薄金属层结构上沉积的高k栅介质层；在高k栅介质叠层结构上沉积的金属栅层。