[发明专利]增甘磷插层结构选择性红外吸收材料及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 200910088310.2 | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101597474A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李殿卿;王丽静;林彦军 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;C08K13/02;C08L23/06;C08L23/08 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何俊玲 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增甘磷插层结构选择性红外吸收材料及其制备方法与应用。该红外吸收材料，简写为GLYP-LDHs，其分子式为：(M2+)1-x(Al3+)x(OH)2(C4H9NO8P22-)a(Bn-)b·mH2O。该材料的制备方法是以水滑石为前体，采用离子交换法将N，N-双(膦羟甲基)甘氨酸离子插入到水滑石层间，组装得到晶相结构良好的GLYP-LDHs。GLYP-LDHs具有很好的红外线吸收性能。当应用于聚乙烯或乙烯-醋酸乙烯共聚物等聚合物薄膜中，GLYP-LDHs比MgAl-CO3-LDHs的红外吸收效果好；当将MgAl-CO3-LDHs与GLYP-LDHs按1∶1的比例混合后再加入PE时比单一添加GLYP-LDHs时的红外吸收效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 增甘磷插层 结构 选择性 红外 吸收 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种增甘磷插层结构选择性红外吸收材料，简写为GLYP-LDHs，其分子式为：(M2+)1-x(Al3+)x(OH)2(C4H9NO8P22-)a(Bn-)b·mH2O其中M2+是Zn2+或Mg2+；Bn-为荷电量为n的无机阴离子，Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-中的一种；0.1＜X＜0.8；a，b分别为C4H9NO8P22-和Bn-的数量，2a+n×b＝X；m为结晶水数量，0.01＜m＜4；该材料为超分子结构，晶体结构为类水滑石材料的晶体结构。
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