[发明专利]一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，属于功能薄膜材料的制备技术领域。目前现有的制备硫化铜薄膜的方法，对沉积条件要求较高，需要高温加热，对沉积衬底有很大的局限性，制备时间较长，效率低，不利于工业生产。本发明制备硫化铜薄膜的方法，采用乙二胺四乙酸二钠(EDTA-2Na)作为络合剂，在低于100℃的微波水浴环境下，40分钟之内，即可在半导体衬底和导电衬底上获得具有靛铜矿结构，晶粒细小均一致密且具有特定微观结构的纳米硫化铜薄膜。本发明工艺简单，成本低廉，适合于大规模生产应用。

主权项

1、一种低温快速沉积硫化铜纳米薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：a)衬底的预处理：将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后，再用去离子水冲洗，并浸泡在乙醇中备用；b)将Cu(Ac)2粉末溶解于去离子水中，充分搅拌均匀，加入与Cu(Ac)2等物质的量的络合剂EDTA-2Na，持续搅拌溶液，得到澄清透明的蓝色溶液A；c)向溶液A中加入NaOH溶液和HCl溶液调节pH值至6～10，得到溶液B；d)向溶液B中缓慢加入与Cu(Ac)2等物质的量的硫代乙酰胺，并搅拌均匀，得到澄清透明溶液C；e)将经过预处理的衬底用氮气吹干，放入溶液C中，使衬底倒置漂浮于溶液C表面，微波辐照20min～40min，得到CuS薄膜。