[发明专利]一种无电容式动态随机存储器

摘要

本发明公开了一种无电容式动态随机存储器，属于超大规模集成电路中的半导体存储器技术领域。本发明存储器包括源区，漏区，源漏之间的沟道，和沟道上的栅区，其特征在于，源区和漏区是宽禁带的能带工程材料，其导带和硅相同，但价带低于硅，两者的价带差＞0eV且≤0.5eV，比如0.3eV。所述宽禁带的能带工程材料优选为碳化硅。本发明无电容式动态随机存储器可以提高栅长的等比例缩小能力，提高信号电流和保持时间，实现更高的存储密度，在高密度，高性能DRAM应用中，有着明显的优势和广泛的应用前景。

主权项

1.一种无电容式动态随机存储器，包括源区，漏区，所述源漏之间的沟道，和所述沟道上的栅区，其特征在于，所述源区和漏区是宽禁带的能带工程材料。