[发明专利]深硅刻蚀方法、等离子体加工方法和系统有效
| 申请号： | 200910089174.9 | 申请日： | 2009-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101988197A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨威风 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12;C23F1/08;H01J37/305 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体加工系统和方法、以及深硅刻蚀方法，所述系统包括：工艺腔室、监测装置、控制装置和电源装置，其中，所述工艺腔室，用于放置基片并提供等离子体加工的密封环境；所述监测装置，设置于所述工艺腔室内，用于实时监测工艺腔室内气体成分；所述电源装置，与所述工艺腔室电性连接，用于提供等离子体激励功率和偏压功率；所述控制装置，分别与所述电源装置和监测装置连接，用于当监测装置监测到预设工艺气体存在时，控制电源装置对工艺腔室内等离子体施加相应的偏压功率值，以使所述等离子体在所述偏压功率的作用下轰击工艺腔室内的基片。本发明的技术方案能够更加简便的实现工艺气体与偏压功率的同步，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 等离子体 加工 系统 | ||
【主权项】：
一种等离子体加工方法，其特征在于，包括：实时监测工艺腔室内气体成分，当监测到预设工艺气体存在时，对工艺腔室内等离子体施加相应的偏压功率值；所述等离子体在所述偏压功率的作用下轰击工艺腔室内的基片。
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