[发明专利]基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及光伏薄膜电池的设备无效
申请号: | 200910089398.X | 申请日: | 2009-07-17 |
公开(公告)号: | CN101958360A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 何整风;傅正文 | 申请(专利权)人: | 何整风 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 100089 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及光伏薄膜电池的设备,利用悬浮偏压电子枪、强流离子源、高精度阻热蒸发源组合制备铜铟镓硒光伏薄膜,包括:蒸发源室;离子源,用以离化工作气体使其处于等离子体态,以向蒸发源室内提供该等离子体;电子枪,用以蒸发硒材料以于蒸发源室内产生硒蒸气,其坩埚接正偏压,使工作气体在电离过程中所产生的电子云与硒蒸气相互碰撞,产生硒等离子体;及蒸发源,置于所述蒸发源室中,用于在硒等离子体气氛下,分别蒸发铜、铟、镓金属材料,以在基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜。采用该设备降低了铜铟镓硒薄膜生长过程中硒化温度,提高了铜铟镓硒薄膜各种材料比例精度,实现了大面积均匀制备铜铟镓硒薄膜。 | ||
搜索关键词: | 基于 等离子体 制备 铜铟镓硒 薄膜 电池 设备 | ||
【主权项】:
一种制备铜铟镓硒光伏薄膜的设备,其特征在于,包括:蒸发源室;离子源,用以离化工作气体使其处于等离子体态,以向蒸发源室内提供该等离子体;电子枪,用以蒸发硒材料以于蒸发源室内产生硒蒸气,其坩埚接正偏压,使工作气体在电离过程中所产生的电子云与硒蒸气相互碰撞,产生硒等离子体;以及蒸发源,置于所述蒸发源室中,用于在硒等离子体气氛下,分别蒸发铜、铟、镓金属材料,以在基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的