[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910089402.2 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101957530A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与所述像素电极同层设置，并由透明导电薄膜制成，所述透明导电薄膜的厚度为本发明栅电极采用透明导电薄膜材料，由于透明导电薄膜很薄，使栅电极两侧斜坡坡度角的差异对漏电极与栅电极之间重叠面积的影响很小，因此减小了不同位置处薄膜晶体管寄生电容的差异，有效减小了TFT-LCD阵列基板上各薄膜晶体管跳变电压ΔVp的差异，减弱了由于跳变电压差异引起的显示画面闪烁现象，提高了TFT-LCD的显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅电极与所述像素电极同层设置，并由透明导电薄膜制成。
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