[发明专利]一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910089499.7 申请日: 2009-07-22
公开(公告)号: CN101603861A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 胡小燕;孙浩;梁宗久;朱西安 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: G01J5/10 分类号: G01J5/10;B81C1/00
代理公司: 信息产业部电子专利中心 代理人: 梁 军
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种红外探测器热绝缘结构及其制备方法,该方法使用湿法腐蚀牺牲层材料,利用腐蚀液横向钻蚀效应,反应迅速,无须在像元中心开许多小孔以帮助去除牺牲层材料,故工艺方法简单,且能够有效缓解由于应力所造成的去掉牺牲层后像元变形问题,保证了红外探测器的表面平整。该热绝缘结构中,矩形像元的边缘处均匀的排布支撑柱,具有更好的稳定性和支撑效果,克服现有的热绝缘结构容易造成应力失配而导致探测器表面翘曲和脱落的缺陷。
搜索关键词: 一种 红外探测器 绝缘 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种红外探测器热绝缘结构制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、在红外探测器衬底上沉积牺牲层;步骤二、通过第一次光刻和刻蚀过程在牺牲层中制备小孔;步骤三、在牺牲层上沉积热敏感多层膜,同时将所述小孔填满;步骤四、通过第二次光刻和刻蚀过程在将红外探测器衬底以上的部分划分成像元阵列,所述小孔均匀地分布在每个像元的边缘处;步骤五、去除牺牲层。
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