[发明专利]控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种利用界面偶极子控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法。在CMOS器件栅叠层中的高k栅介质层内部插入一层极薄多晶硅层或者非晶硅层或者SiO2层，利用该极薄帽层在高k栅介质层内部形成的界面偶极子来调节器件的阈值电压。通过采取该工艺，在不明显增加器件的EOT的情况下，可以有效地控制CMOS器件的阈值电压。

主权项

一种利用界面偶极子控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构，其特征在于，该结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO2界面层；在SiO2界面层上沉积的第一层高k栅介质层；在高k栅介质层上沉积的极薄帽层；在高k栅介质层/极薄帽层结构上沉积的第二层高k栅介质层；在高k栅介质层/极薄帽层/高k栅介质叠层上沉积的金属栅电极层。