[发明专利]一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法有效
| 申请号： | 200910089598.5 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101964005A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，该方法包括：A、将单粒子入射节点处的电荷收集机制采用瞬态电流源来表示；B、在瞬态失效分析时将CMOS电路分为不同的级段，每个级段均由NMOS模块和PMOS模块构成；C、将CMOS电路单粒子瞬态简化为输出节点集总有效负载电容C、有效电阻R和瞬态电流源的并联回路；D、推导出单粒子瞬态脉冲宽度表达式和瞬态脉冲峰值表达式；E、当单粒子入射节点瞬态脉冲峰值超过VDD/2时，认为发生单粒子翻转错误。利用本发明，基于简单的解析模型，可以评估复杂电路中每一门电路的单粒子瞬态敏感度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 电路 粒子 瞬态 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法，其特征在于，该方法包括：A、将单粒子入射节点处的电荷收集机制采用瞬态电流源来表示；B、在瞬态失效分析时将CMOS电路分为不同的级段，每个级段均由NMOS模块和PMOS模块构成；C、将CMOS电路单粒子瞬态简化为输出节点集总有效负载电容C、有效电阻R和瞬态电流源的并联回路；D、推导出单粒子瞬态脉冲宽度表达式和瞬态脉冲峰值表达式；E、当单粒子入射节点瞬态脉冲峰值超过VDD/2时，认为发生单粒子翻转错误。
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