[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910089828.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101963726A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。该方法包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜、通过第三构图工艺在PAD区域的数据线区域形成连接孔的图形；步骤4：沉积第二透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过第四构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形。本发明可以采用4次构图工艺既可制备完成，相比现有技术具有工艺步骤简化、工艺时间短、生产效率高和生产成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | ffs tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FFS型TFT‑LCD阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括公共电极区域、公共电极线区域、栅电极区域、数据线区域、半导体层区域，源电极区域、漏电极区域、栅线区域、像素电极区域及PAD区域的数据线区域，其特征在于，包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜、通过第三构图工艺形成在PAD区域的数据线区域形成连接孔的图形；步骤4、沉积第二透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过第四构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形。
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