[发明专利]InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构有效
| 申请号： | 200910090349.8 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101989838A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈高鹏;吴旦昱;苏永波;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，该结构由并联在InP DHBT器件集电极端的电阻-扇形电容串联网络构成，其中，电阻的一端连接于InP DHBT器件的集电极端，另一端连接于扇形电容的圆心，电阻与扇形电容串联连接。利用本发明，在实际应用中与InP DHBT半导体工艺完全兼容，可以在很宽的带宽内有效消除功率放大器的低频不稳定性，从而可以有效抑制在W波段功率放大器中常见的低频振荡，提高了W波段功率放大器的稳定性和宽带性能，同时该稳定网络对电路的整体增益影响极小，能够获得高增益的功率放大器性能。 | ||
| 搜索关键词： | inp dhbt 波段 功率放大器 单片 集成电路 稳定 网络 结构 | ||
【主权项】：
一种应用于InP DHBT W波段功率放大器单片集成电路的稳定网络结构，其特征在于，该结构由并联在InP DHBT器件集电极端的电阻‑扇形电容串联网络构成，其中，电阻的一端连接于InP DHBT器件的集电极端，另一端连接于扇形电容的圆心，电阻与扇形电容串联连接。
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