[发明专利]离子源腔体送气时的真空冲击保护方法无效

专利信息
申请号: 200910090663.6 申请日: 2009-09-03
公开(公告)号: CN102002676A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 罗宏洋;孙勇;王迪平;谢均宇;周文龙 申请(专利权)人: 北京中科信电子装备有限公司
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;C23C14/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101111 北京市中关村科技园通州园光机*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种离子注入机用的离子源真空腔体送入工艺气体时的真空冲击防护方法,使用了离子源真空高规、送气管路压力传感器、送气隔离阀、支路隔离阀、质量流量计,属于半导体器件制造领域。具体实现方法为:选择工艺指定的SDS低压气瓶,设置质量流量计为零,打开气瓶对应的支路隔离阀,打开送气隔离阀一段时间,再关闭送气隔离阀一段时间,开关时监测离子源真空高规,防止离子源真空破坏,如此反复开关直到打开送气隔离阀时压力传感器检测值小于设定值,再设置质量流量计到工艺设定初始值,这样可以防止送气管路残余和质量流量计泄露的气体对离子源真空的冲击破坏。
搜索关键词: 离子源 送气 真空 冲击 保护 方法
【主权项】:
一种离子注入机用的向离子源真空腔体送入工艺气体时的真空冲击防护方法,使用了离子源真空高规、送气管路压力传感器、送气隔离阀、支路隔离阀、质量流量计等控制部件,方法如下:(1)真空冲击防护方法开始;(2)选择工艺菜单指定的工艺气体对应的SDS低压气瓶,设置气瓶对应的质量流量计(以下简称MFG)为零,打开气瓶对应的支路隔离阀;(3)打开离子源送气隔离阀(以下简称Vs)一段时间;(4)如果送气管路压力传感器(以下简称Sp)的检测值小于设定值(以对高真空形成冲击破坏为要求)则防护方法结束否则继续;(5)关闭Vs一段时间,直到离子源恢复较高的真空值;(6)重复多次,直到Sp检测值满足要求;(7)将MFG设定为工艺菜单指定值;(8)真空冲击防护方法结束。
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