[发明专利]晶片电荷检测装置

摘要

本发明公开了一种电荷检测装置，其包括：由天线和N沟道增强型MOS场效应管，P沟道增强型MOS场效应管，运放及三极管等元件构成的电荷检测电路，将所有元件集成在一块电路板上(天线除外)，并将电路板用屏蔽盒屏蔽。本发明涉及到晶片电荷检测技术，属于半导体器件制造领域。

主权项

电荷检测装置由电荷收集天线1和线路板2组成，其特征在于：(1)天线1将收集到的电荷通过天线支杆6传送到N沟道增强型MOS场效应管Q2和P沟道增强型MOS场效应管Q1；(2)当天线收集到正电荷时N沟道增强型MOS场效应管Q2输出正电流，A1输出为负，Q3(PNP管)导通，那么输出电压UO为正，其大小正比于天线收集到的积累电压；(3)当天线收集到负电荷时P沟道增强型MOS场效应管Q1输出负电流，A1输出为正，Q4(NPN管)导通，那么输出电压UO为负，其大小正比于天线收集到的积累电压。