[发明专利]一种等离子体处理设备、方法及腔室清洗方法有效
| 申请号： | 200910090764.3 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101996840A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨威风 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张天舒;陈源 |
| 地址： | 100016 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理设备，包括工艺腔室、上电极、下电极以及设置于工艺腔室内部并围绕腔室内壁的内衬，所述上电极连接有上电极射频电源以获得射频功率，所述下电极连接有下电极射频电源以获得射频功率，所述内衬连接有能够为其提供射频功率的内衬射频电源。本发明提供的等离子体处理设备能够引导部分等离子体对内衬进行有效轰击，从而减少甚至避免反应副产物在内衬上的沉积，进而有效提高设备工艺的稳定性和可重复性；并且，在对本发明提供的等离子体处理设备进行干法清洗时，可有效缩短清洗时间，提高产能，并降低设备损耗。此外，本发明还提供一种等离子体处理方法和一种腔室清洗方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 设备 方法 清洗 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理设备，包括工艺腔室、上电极、下电极以及设置于工艺腔室内部并围绕腔室内壁的内衬，所述上电极连接有上电极射频电源以获得射频功率，所述下电极连接有下电极射频电源以获得射频功率，其特征在于，所述内衬连接有能够为其提供射频功率的内衬射频电源。
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