[发明专利]一种真空离子镀膜方法有效
申请号: | 200910091529.8 | 申请日: | 2009-08-26 |
公开(公告)号: | CN101654769A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 张伯良;王伟弟;何勤伟;郭洪明 | 申请(专利权)人: | 杭州泛亚水暖器材有限公司 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 罗文群 |
地址: | 311500浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种真空离子镀膜方法,属于真空镀膜技术领域。首先在镀膜设备的沉积室的设置柱弧源和点弧源,待加工工件悬挂在工件架上;使工件转动,升温抽真空;向沉积室内通入氩气或氮气,调节真空度,对工件施加负偏压进行辉光放电清洗;提高沉积室真空度,向沉积室内通入氩气,调节真空度和柱弧源电流,对工件进行放电清洗;再调节氩气的进气量、真空度、负偏压、柱弧源的工作电流和点弧源的工作电流,开始镀膜,以形成底膜过渡层,继续调节工艺参数,依次快速沉积硬质膜层和细腻、致密和光亮的硬质膜层。本发明方法结合点电弧和柱弧镀膜的优点,改善了镀膜层的致密度和表面光洁度,提高了镀膜层在工件上的附着力,使工件长期保持表面色彩。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 离子 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
1、一种真空离子镀膜方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)在镀膜设备的沉积室的中心设置柱弧源,沉积室的圆周壁上设置点弧源,待加工工件悬挂在沉积室的柱弧源和点弧源之间的工件架上;(2)使工件转动速度为1~3转/分钟,使沉积室内的温度达到150℃~260℃,使沉积室内的真空度达到4×10-2Pa~1×10-2Pa;(3)向沉积室内通人氩气或氮气,气体流量为200~480cm3/分钟,调节真空度为4~1.5Pa,对工件施加负偏压300-500V,对工件进行辉光放电清洗4~8分钟;(4)使沉积室内的真空度达到8×10-3Pa~4×10-3Pa,向沉积室内通入氩气,进气量为100-150cm3/分钟,调节真空度为5.0-2.0×10-2Pa,调节柱弧源电流为200-250A,对工件施加负偏压300-400V,对工件进行放电清洗4~7分钟;(5)调节氩气的进气量为100-300cm3/分钟,使真空度保持在5×10-1Pa~3×10-1Pa,对工件施加负偏压100-180V,调节柱弧源的工作电流为150A~235A,点弧源的工作电流为70A~100A,镀膜时间为4分钟~8分钟;(6)向沉积室内通入反应气体,反应气体流量为50~450cm3/分钟,调节氩气的进气量,使真空度保持在5×10-1Pa~3×10-1Pa,对工件施加负偏压100-180V,调节柱弧源的工作电流为150A~235A,点弧源的工作电流为70A~100A,镀膜时间为3分钟~5分钟;(7)使点弧源停止工作,调节反应气体和氩气的进气量,使真空度保持在5×10-1Pa~3×10-1Pa,对工件施加负偏压80-120V,调节柱弧源的工作电流为150A~235A,镀膜时间为5分钟~8分钟。
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