[发明专利]一种提高GaN HEMT退火成功率的方法有效
| 申请号： | 200910091630.3 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101661877A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 王鑫华;赵妙;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；根据测得的肖特基反向特性曲线，绘制以ln|I|为纵坐标，Vr1/4为横坐标的电流电压曲线；根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线形状，判断是否对GaN HEMT进行退火。本发明通过根据肖特基反向特性曲线绘制的电流电压曲线，对GaN HEMT退火后其直流特性能否上升进行判断，从而选择性地对器件进行退火，以降低退火后器件失效的数量，提高器件的退火成功率，同时节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan hemt 退火 成功率 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤10：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；步骤20：根据测得的肖特基反向特性曲线，绘制以ln|I|为纵坐标，Vr1/4为横坐标的电流电压曲线；步骤30：根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线的形状，判断是否对GaN HEMT进行退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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