[发明专利]多晶硅薄膜的制造方法及装置无效
| 申请号： | 200910091870.3 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101996869A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 徐威;宋定峰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/324;H01L21/00;C23C16/44;C23C16/56 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜的制造方法及装置，用以将多晶硅薄膜产生的应力控制在不会影响底材结构的范围内。其中，本发明公开的该方法包括：根据需要制造的多晶硅薄膜的预设厚度，确定沉积时间；在放置有底材的容器中通入硅烷，并采用不高于575℃的温度，对所述硅烷进行加热生成非晶硅，其中，对所述硅烷进行加热的时间长度与所述确定的沉积时间一致；将所述非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：根据需要制造的多晶硅薄膜的预设厚度，确定沉积时间；在放置有底材的容器中通入硅烷，并采用不高于575℃的温度，对所述硅烷进行加热生成非晶硅，其中，对所述硅烷进行加热的时间长度与所述确定的沉积时间一致；将所述非晶硅加热到575℃以上，生成多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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