[发明专利]一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法

摘要

本发明属于高温超导涂层导体织构金属基带领域。本发明采用粉末冶金法获得W元素不均匀分布的初始坯锭，经冷轧及优化的高温热处理，通过W元素由芯层向外层扩散获得表面W含量为7～9.3at.％的高强度，无(低)磁性和高立方织构含量的金属基带。本发明方法简单易行，所制备的Ni-W合金基带具有良好的表面质量和锐利的立方织构，可以直接外延生长过渡层和超导层；同时在液氮温区无(低)磁性，并具有很高的机械强度，可以满足进一步提高YBCO涂层导体性能的要求。

主权项

1、一种无/低磁性立方织构Ni-W合金基带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在保护性气氛中，将纯度为99.9％的Ni粉和纯度为99.9％的W粉按照W原子占Ni原子和W原子总数的9％～12％混合后，球磨2～4h，得到高W合金粉末；在保护性气氛中，将纯度为99.9的Ni粉和纯度为99.9的W粉按照W原子占Ni原子和W原子总数的5％～7％混合后，球磨2～4h，得到低W合金粉末；将高W合金粉末和低W合金粉末按照低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末的顺序装入模具中压制，低W合金粉末-高W合金粉末-低W合金粉末的体积比为1∶1～3∶1，而后经放电等离子烧结制备初始坯锭，烧结温度为800-1000℃，烧结时间3-8min；2)将初始坯锭进行冷轧，道次变形量小于5％，总变形量大于99％，最终获得50um～100um厚的冷轧基带；3)将冷轧基带在保护性气氛中进行分级热处理，首先在650℃～750℃保温30min，然后升温至1100℃～1200℃保温30min～60min后将温度升至1300℃～1450℃保温60min～240min，得到无/低磁性立方织构Ni-W合金基带。