[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910091999.4 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102012590A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 金原奭;金永珉;金馝奭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/82;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法，阵列基板包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极，还包括由金属薄膜材料制备的黑矩阵，所述黑矩阵与所述公共电极连接。制造方法包括：形成包括栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管的图形；形成包括公共电极和黑矩阵的图形，所述黑矩阵由金属薄膜材料制备，并与所述公共电极连接。本发明通过将黑矩阵图形设置在阵列基板上，且黑矩阵与公共电极连接，使黑矩阵不仅可以有效遮挡漏光区域，而且可以作为公共电极的连接总线，有效解决了现有结构生产成本高和公共电极延迟的技术缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | ffs tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FFS型TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上并限定了像素区域的栅线和数据线，所述像素区域内形成有像素电极、薄膜晶体管和与所述像素电极形成边缘电场的公共电极，其特征在于，还包括由金属薄膜材料制备的黑矩阵，所述黑矩阵与所述公共电极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910091999.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可收折的便携式摄影箱
- 下一篇：一种抑制多径的相关器方法
