[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910093250.3 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102023428A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 代伍坤;朴云峰;彭志龙;王威 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/84;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术，能够在不降低开口率的情况下提高存储电容。一种TFT-LCD阵列基板，包括玻璃基板以及形成在该玻璃基板上的像素电极、存储电容底电极，在所述像素电极和存储电容底电极之间形成有存储电容；其中，在所述存储电容底电极的表面以及与该存储电容底电极正对的像素电极区域形成有对应的凹凸结构。本发明实施例提供的TFT-LCD阵列基板及其制造方法适用于对TFT-LCD的存储电容进行改进。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括玻璃基板以及形成在该玻璃基板上的像素电极、存储电容底电极，在所述像素电极和存储电容底电极之间形成有存储电容，其特征在于，在所述存储电容底电极的表面以及与该存储电容底电极正对的像素电极区域形成有对应的凹凸结构。
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