[发明专利]一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910093517.9 申请日: 2009-10-12
公开(公告)号: CN101664686A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 张法智;鲁瑞娟;徐新;徐赛龙;段雪 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;B01J37/20;B01J35/02;A62D3/10;A62D101/28
代理公司: 北京华谊知识产权代理有限公司 代理人: 刘月娥
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法,属于复合半导体材料技术领域。具体制备工艺包括以下步骤:利用水滑石的层板金属离子可调变性和层间阴离子可交换性,将半导体先驱金属元素以氢氧化物的形式引入LDHs层板,然后将LDHs粉体材料置于H2S气氛中,经气固相反应合成纳米金属硫化物复合半导体材料。本发明的优点在于:所制备的纳米复合半导体材料粒子分散均匀、粒径可调,实现了半导体纳米粒子在分子水平的分散;通过调变层板金属元素的摩尔比,可制备得到组成可调的纳米复合半导体光催化材料。
搜索关键词: 一种 纳米 金属 硫化物 复合 半导体 光催化 材料 制备 方法
【主权项】:
1、一种纳米金属硫化物复合半导体光催化材料的制备方法,其特征在于:制备步骤为:a配置可溶性二价金属硝酸盐、三价金属硝酸盐以及磺酸盐的混合溶液,其中二价、三价金属阳离子摩尔比为M2+/M3+=2~4,配制浓度为0.5~4.0mol/L的NaOH或KOH碱溶液;b将步骤A配制的碱溶液滴加到步骤a配制的混合盐溶液中,至pH为6~10,在室温条件下晶化2~24h,产物用去CO2水充分洗涤、离心,真空室温干燥,得到磺酸盐插层的LDHs;c将步骤b制得的磺酸盐插层的LDHs置于反应装置中,在60℃~150℃下,通入H2S气体10~200min,产物在N2气氛中保留1~12h,得到纳米金属硫化物复合半导体材料。
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