[发明专利]一种叠层太阳电池的制作方法无效
| 申请号： | 200910095140.0 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101702415A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;杨培志;申兰先;邓书康;涂洁磊;廖华 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明慧翔专利事务所 53112 | 代理人： | 程韵波 |
| 地址： | 650092 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种叠层太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂锑化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在锑化镓衬底上生长子电池吸收层，具体过程包括：首先在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，然后在生长的GaSb缓冲层上依次生长GaInAsSb层、AlGaAsSb层、CdZnSeTe层、ZnTe层及各层之间的隧穿结，在ZnTe层上制作顶电极，在GaSb衬底上制作背电极。然后进行封装，完成电池的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种叠层太阳电池的制作方法，其特征在于：其按以下步骤完成，采用分子束外延生长技术，先在GaSb衬底上外延生长GaSb缓冲层，然后在生长的GaSb缓冲层上依次生长GaInAsSb层、AlGaAsSb层、CdZnSeTe层、ZnTe层及各层之间的隧穿结，在ZnTe层上制作顶电极，在GaSb衬底上制作背电极，然后进行封装，得到太阳电池成品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南师范大学，未经云南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910095140.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
