[发明专利]一种氧化钇薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910095416.5 | 申请日： | 2009-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101462893A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 金达莱;俞晓晶;贾红;缪洒丽;张亚萍;王龙成;王耐艳 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钇薄膜及其制备方法。在单晶硅衬底的一个侧面沉积一层氧化钇薄膜。选择可溶性钇盐溶液为原料，利用三电极电化学池在单晶硅片上进行薄膜沉积。将三电极插入钇盐溶液，40℃～80℃下恒温30分钟。调节电压范围在-0.85V～-1.4V(vs Ag/AgCl/KCl参比电极)之间，沉积时间控制在20分钟～60分钟。将得到的薄膜清洗并干燥。随后，将薄膜在600℃～1000℃下退火烧结30分钟-240分钟。制备的发光薄膜均匀致密无开裂。本发明工艺方法简单、原料易得、成本低，能耗低，无毒，成膜均匀致密无开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化钇 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氧化钇薄膜，其特征在于：在单晶硅衬底的一个侧面沉积有一层氧化钇薄膜，该薄膜的化学式为Y2O3。
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