[发明专利]用助熔剂制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法无效
| 申请号： | 200910096536.7 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101503765A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 朱铁军;刘鑫鑫;张倩;赵新兵;高洪利 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;B22F1/02;C22C23/00;H01L35/34 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用助熔剂制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法，包括：在原料中加入助熔剂B2O3，加热至400～600℃并保温，使B2O3熔体包裹原料，继续加热至900～1000℃，保温反应10～12h，冷却后去除包裹反应物的B2O3层，即制得等化学计量比的Mg-Si-Sn基热电材料；其中原料为至少含有Mg、Si和Sn的混合物。该方法利用助熔剂B2O3包裹原料，形成B2O3保护层，可以有效抑制Mg的挥发和氧化，能准确控制Mg-Si-Sn基热电材料的化学计量比，且工艺简单，重复性好，成本低，不会对Mg-Si-Sn基热电材料造成污染。 | ||
| 搜索关键词： | 熔剂 制备 mg si sn 热电 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用助熔剂制备Mg-Si-Sn基热电材料的方法，包括：在原料中加入助熔剂B2O3，真空密封后加热至400～600℃，保温1～3h，使B2O3熔体包裹原料，继续加热至900～1000℃，保温反应10～12h，冷却至室温后去除包裹反应物的B2O3层，即制得等化学计量比的Mg-Si-Sn基热电材料；其中，所述原料为至少含有Mg、Si和Sn的混合物。
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