[发明专利]一种制备二氧化钛纳米线阵列薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910096796.4 | 申请日： | 2009-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101508463A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 吴进明;薛红星 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备二氧化钛纳米线阵列薄膜的方法，其步骤包括将氢氟酸、硝酸与去离子水混合，配得酸洗液；在双氧水溶液中添加三聚氰胺和硝酸，得反应液；金属钛板表面用酸洗液酸洗，浸没于反应液中，在60～90℃下反应60～72小时；反应后的钛板用去离子水清洗，干燥，在350～550℃保温1～2小时。本发明制备二氧化钛纳米线阵列薄膜的方法，不需要模板和催化剂，简便易行，成本低，薄膜纯净，尺寸排列规整，结晶理想，比表面积大，与基体结合牢固。本发明制备的二氧化钛纳米线阵列薄膜在光催化、光电催化、薄膜太阳能电池、气体传感器，以及冷阴极电子发射等领域有着广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化 纳米 阵列 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制备二氧化钛纳米线阵列薄膜的方法，其特征是包括以下步骤：1)将质量百分比浓度为50～55％的氢氟酸、质量百分比浓度为65～68％的硝酸与去离子水按体积比1∶3∶6混合，得酸洗液；2)在质量百分比浓度为20～30％的双氧水溶液中添加0.174～0.580摩尔/升的硝酸和0.0016～0.024摩尔/升的三聚氰胺，得反应液；3)将金属钛板表面用步骤1)的酸洗液酸洗后，再用去离子水在超声波中清洗干净，然后浸没于步骤2)的反应液中，在60～90℃下反应60～72小时；4)反应后的钛板用去离子水清洗，干燥后，在350～550℃热处理1～2小时。
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