[发明专利]单晶硅掺杂剂的生产工艺

摘要

一种单晶硅掺杂剂的生产工艺，该工艺是将不同电阻率的掺硼低阻硅料进行重量和电阻率的测量，根据测量所得的掺硼低阻硅料的电阻率，依据公式(1)计算掺杂剂浓度，在投料量为K₀的情况下，通过公式(2)找出不同电阻率之间的等效重量比参数，通过换算，使不同电阻率的掺杂剂通过重量的调整，使其具有某一相同掺杂剂浓度的等效重量之后在投料的时候按照之前某一相同掺杂剂浓度的母合金进行投料即可；本发明也可以根据所述公式计算并制作而成的表1进行换算，使不同电阻率的掺杂剂通过重量的调整，使其具有某一相同掺杂剂浓度的等效重量之后在投料的时候按照之前某一相同掺杂剂浓度的母合金进行投料即可；本发明与现有技术相比，具有工艺方法简单，晶体目标电阻率控制准确，能充分利用低阻掺硼硅料，降低生产成本，使产品质量大大提高等特点。

主权项

1、一种单晶硅掺杂剂的生产工艺，该工艺是将不同电阻率的掺硼低阻硅料进行重量和电阻率的测量，根据测量所得的掺硼低阻硅料的电阻率，依据如下公式(1)计算掺杂剂浓度：N(p)=1.33X1016ρ+1.082X1017ρ[1+(54.56ρ)1.105]]]>式(1)，式中：ρ-----电阻率Ω·cm  ；N----掺杂剂浓度cm^-3；在投料量为K₀的情况下，不同浓度的母合金，达到相同晶体头部目标电阻率，则其重量比为：设母合金1的电阻率为ρ₁，母合金2的电阻率为ρ₂，母合金1掺杂剂的浓度为母合金2掺杂剂的浓度为母合金1的重量为W₁，母合金2的重量为W₂；掺母合金后，为达到相同的头部目标电阻率，则有如下公式(2)：N(p1)W1K0+W1=N(p2)W2K0+W2⇒W1=N(p2)N(p1)XK0W2K0W2+1-N(p2)N(p1)]]>式(2)，通过以上公式找出不同电阻率之间的等效重量比参数，通过换算，使不同电阻率的掺杂剂通过重量的调整，使其具有某一相同掺杂剂浓度的等效重量之后在投料的时候按照之前某一相同掺杂剂浓度的母合金进行投料即可。