[发明专利]一种ZnO纳米棒阵列的制备方法无效
申请号: | 200910097262.3 | 申请日: | 2009-04-02 |
公开(公告)号: | CN101550028A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 王平;宗小林;吴晓玲 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C04B41/50 | 分类号: | C04B41/50 |
代理公司: | 杭州之江专利事务所 | 代理人: | 张慧英 |
地址: | 310058浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种ZnO纳米棒阵列的制备方法,该ZnO纳米棒阵列的制备方法,首先将硅片清洗后放入高温炉中进行氧化,待生成二氧化硅介质层后再在其表面沉积形成纳米ZnO薄膜即ZnO种子层,所述ZnO种子层经过紫外光照射后再浸入相同浓度的硝酸锌和六亚甲基四胺的等体积混合溶液中,在密闭的反应皿中反应后取出用去离子水充分清洗。该ZnO纳米棒阵列的制备方法中利用紫外光照射,使ZnO种子层表面浸润性由疏水向亲水转变,进而后续制备过程中ZnO种子层上的混合溶液可以均匀分布。 | ||
搜索关键词: | 一种 zno 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种ZnO纳米棒阵列的制备方法,首先将硅片清洗后放入高温炉中进行氧化,待生成二氧化硅介质层后再在其表面沉积形成纳米ZnO薄膜即ZnO种子层,再浸入相同浓度的硝酸锌和六亚甲基四胺的等体积混合溶液中,在密闭的反应皿中反应后取出用去离子水充分清洗,其特征在于:所述ZnO种子层经过紫外光照射后再浸入硝酸锌和六亚甲基四胺的混合溶液中。
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