[发明专利]一种钨酸镉晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 200910097707.8 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101538739A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 夏海平;王金浩;虞灿;罗彩香;陈红兵 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 程晓明 |
| 地址： | 315211浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有近红外宽带发光特性的钨酸镉晶体及其制备方法，该钨酸镉晶体以CdWO4单晶为基质，在其中掺入0.1～2.0mol％的Bi离子，本发明的Bi:CdWO4氧化物晶体是用坩埚下降法生长的，生长晶体的炉体温度为1330～1380℃，接种温度为1280～1300℃，生长区域温度梯度为20～40℃，下降速度为0.5～2mm/h，待晶体生长结束后，以20～80℃/h下降炉温至室温，得到Bi:CdWO4晶体，该掺Bi钨酸镉氧化物晶体具有良好的物化稳定性，其晶体的结构特征可为发光中心提供更高效率的发光环境，有利于实现高效率的激光输出，可广泛应用于红外宽带光学放大器与可调谐激光器等光学领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钨酸镉 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种钨酸镉晶体，其特征在于为CdWO4单晶中掺有0.1～2.0mol％的Bi离子的Bi:CdWO4晶体。
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