[发明专利]在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法及装置有效
申请号: | 200910097932.1 | 申请日: | 2009-04-23 |
公开(公告)号: | CN101562218A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 皮孝东;杨德仁 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B82B3/00 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法,使硅纳米颗粒形成硅纳米颗粒束,硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。本发明还公开了制备上述薄膜的装置,包括原料腔和成膜腔,原料腔带有与成膜腔相通的喷射孔,成膜腔连接真空系统,成膜腔内设有用于承载硅太阳电池的可三维移动的样品台,硅纳米颗粒从原料腔的喷射孔以硅纳米颗粒束形式进入成膜腔后,样品台带动硅太阳电池移动,在硅太阳电池表面形成硅纳米颗粒薄膜。本发明方法可以有效地控制硅纳米颗粒在硅太阳电池表面的成膜速度和所得硅纳米颗粒薄膜的厚度及均匀性,本发明可以提高硅太阳电池的效率,有利于硅太阳电池成本的降低。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 表面 附着 纳米 颗粒 薄膜 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法,其特征在于:使硅纳米颗粒形成硅纳米颗粒束,硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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