[发明专利]利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法及装置有效
| 申请号： | 200910098050.7 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101559945A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;杨德仁;韩庆荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;韩庆荣 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。本发明还公开了实施该方法的装置包括带有真空管路接口的壳体，壳体内设有：带有进口和出口的熔化腔，用于对熔化腔内物料加热的加热装置；和位于熔化腔出口下方的收集装置。本发明技术方案在保证多晶硅料的纯度的情况下，显著降低多晶硅料的制备成本；不仅可以制备多晶硅料，而且可以把传统上分离的多晶硅料制备和多晶硅铸造集成起来，显著地简化工艺，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 纳米 颗粒 制备 高纯 多晶 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种利用硅纳米颗粒制备高纯多晶硅的方法，其特征在于，使硅纳米颗粒从原料腔进入熔化腔，加热熔化腔内的硅纳米颗粒使其熔融形成硅熔体，硅熔体从熔化腔流出后冷却凝固成块状多晶硅。
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