[发明专利]一种太阳能硅单晶的制作方法

摘要

本发明涉及一种太阳能硅单晶的制备方法。目的是提供一种太阳能硅单晶的制备方法的改进，该制作方法应具有节约了资源，降低了生产成本、提高了经济效益；同时利用制备方法制备得到的太阳能硅单晶还具有很好地清洁性、安全性，且寿命较长，具有良好的产品性能。本发明的技术方案：一种太阳能硅单晶的制作方法，其特征在于：利用废弃的多晶硅下脚料作为主要原料来制备太阳能硅单晶，其制作方法包括以下步骤：第一步：首先对多晶硅下脚料进行分类；第二步：将多晶硅下脚料投入坩埚内进行拉制。

主权项

1、一种太阳能硅单晶的制作方法，其特征在于：利用废弃的多晶硅下脚料作为主要原料来制备太阳能硅单晶，其制作方法包括以下步骤：第一步：首先对多晶硅下脚料进行分类：(1)将多晶硅下脚料的头尾料、埚底料、废片料分别放置，(2)将分置好的多晶硅下脚料按检测类别及电阻率高低进行分类，分为：N型电阻率：0.5Ω.cm以下，0.5～1.6Ω.cm，1.6～6Ω.cm及＞6Ω.cm四档；P型电阻率：0.5Ω.cm以下，0.5～1.6Ω.cm，1.6～6Ω.cm及＞6Ω.cm四档；(3)清洗：将分类好的多晶硅下脚料用酸性溶液清洗浸泡一段时间后，去掉表面杂质，再用大于15兆的去离子水漂洗10～15分钟。(4)干燥：将完成表面清洗的多晶硅下脚料进行表面干燥；第二步：将多晶硅下脚料投入坩埚内进行拉制：(1)将上述完成表面清洗、干燥的头尾料、埚底料、废片料进行合理的配比后投入单晶炉的石英坩埚中，头尾料、埚底料、废片料之间的重量配比为：4～8∶3～7∶1；(2)将多晶硅下脚料装入单晶炉后，抽真空、加氩气后，分3～4次升温到1600℃，硅料完全熔化后，静置挥发1.5～2.5h，启动埚转0.5～1h，停止埚转，再挥发0.5～1h后，进行试拉制；(3)a、若试拉制成功，先测量试拉制得到的小段单晶棒的电阻率，电阻率符合要求，进行正常的拉制，得到最终的太阳能硅单晶；b、若由于杂质过多、引晶不成功，先拉制一小段多晶棒，粘掉杂质，重新静置挥发0.5～2小时后，再进行正常拉制；若再次引晶不成功，直接将拉制得到的多晶棒敲碎后重新酸洗、配比，重新投炉。