[发明专利]用于共晶焊的硅片背面金属化工艺有效
| 申请号： | 200910098709.9 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101887862A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 余之江;马洁荪;傅劲松;王国庆 | 申请（专利权）人： | 华越微电子有限公司;余之江 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C23C14/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 312016 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种用于共晶焊的硅片背面金属化工艺，属于半导体器件制造工艺技术领域。该发明工艺使用锡(Sn)、铜(Cu)或锡、锑(Sb)的合金，合金蒸发采用特定的工艺条件，完全达到常规使用金系合金材料工艺的技术性能，且工艺性能有所突破，能满足小到0.30毫米×0.30毫米尺寸的管芯封装，具有成本低和适用面广的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 共晶焊 硅片 背面 金属化 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于共晶焊的硅片背面金属化工艺，其特征在于背面金属的表面层使用锡/铜合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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