[发明专利]梯度折射率薄膜的制备方法无效
申请号: | 200910098784.5 | 申请日: | 2009-05-14 |
公开(公告)号: | CN101560653A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
发明(设计)人: | 章岳光;何俊鹏;沈伟东;刘旭 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/44 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种梯度折射率薄膜的制备方法。它包括如下步骤:1)将高、低折射率材料前驱体分别放入反应前驱体容器;2)加热衬底,抽真空,开启镀膜机;3)沉积低折射率膜层;4)沉积高折射率膜层;5)交替沉积形成梯度折射率薄膜。本发明与现有技术相比具有的有益效果:1)本发明使用原子层沉积技术,通过控制两种材料的沉积工艺参数实现不同的折射率子层;2)采用交替沉积的方式,控制循环次数,工艺控制简单;3)两种膜料分别是高、低折射率膜料,沉积温度要相近;4)沉积子层的折射率可以是高、低折射率之间的任意折射率值;5)折射率子层是混合膜层,折射率大小可以通过控制交替沉积的两种膜料沉积比例控制。 | ||
搜索关键词: | 梯度 折射率 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种梯度折射率薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)将两种低折射率材料反应前驱体放入原子层沉积镀膜机的第一反应前驱体容器和第三反应前驱体容器,两种高折射率材料反应前驱体分别放入原子层沉积镀膜机的第二反应前驱体容器和第四反应前驱体容器;2)将原子层沉积镀膜机中的衬底加热到100℃~400℃,抽真空至0.1~1Torr,开启原子层沉积镀膜机;3)开启原子层沉积镀膜机的第一阀门P1和第三阀门P3,分别通入第一反应前驱体和第三反应前驱体,沉积低折射率膜层1~100循环,得到低折射率膜单层;4)关闭原子层沉积镀膜机的第一阀门P1和第三阀门P3,开启原子层沉积镀膜机的第二阀门P2和第四阀门P4,分别通入第二反应前驱体和第四反应前驱体,沉积高折射率膜层1~100循环,得到高折射率膜单层;5)高折射率膜单层和低折射率膜单层形成折射率子层,交替沉积10~100次形成梯度折射率薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的