[发明专利]一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法

摘要

本发明公开了一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法，包括以下步骤：(1)将硅原料熔化，得到熔融硅；(2)将掺氮籽晶以不大于1mm/min速度靠近熔融硅，与熔融硅液面接触后提升掺氮籽晶，生长硅单晶；掺氮籽晶的氮浓度为1×10¹⁴～5×10¹⁵cm^-3。本发明方法生长硅单晶未采用DASH缩颈工艺，简化了工序，节约了生产成本。本发明方法采用掺氮籽晶进行引晶，掺氮籽晶中氮的浓度在1×10¹⁴～5×10¹⁵cm^-3，不会引起籽晶明显的晶格畸变，因此在引晶过程中也不会引入失配位错；而且氮在硅中不是电活性掺杂剂，从籽晶引入到硅单晶中的氮不会造成硅单晶电阻率难以精确控制的缺陷。

主权项

1、一种利用掺氮籽晶生长硅单晶的方法，包括以下步骤：(1)将硅原料熔化，得到熔融硅；(2)将掺氮籽晶以不大于1mm/min速度靠近熔融硅，与熔融硅液面接触后提升掺氮籽晶，生长硅单晶；所述的掺氮籽晶的氮浓度为1×1014～5×1015cm-3。