[发明专利]一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器无效

专利信息
申请号: 200910099487.2 申请日: 2009-06-10
公开(公告)号: CN101588021A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 马向阳;潘景伟;陈培良;杨德仁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01S5/30 分类号: H01S5/30;H01S5/042;H01S5/06
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 代理人: 胡红娟
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器,在硅衬底的正面自下而上依次生长ZnO薄膜、ZnO纳米棒阵列、SiO2薄膜和半透明电极,在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明还公开了该电抽运随机激光器的制备方法:用磁控溅射法在清洗后的n型硅片上生长ZnO薄膜;采用化学水浴沉积法在ZnO薄膜上生长ZnO纳米棒阵列并在空气气氛下进行热处理;用溶胶-凝胶法在ZnO纳米棒阵列上生长SiO2薄膜;在SiO2薄膜上溅射半透明电极,在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明的硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器结构简单,在足够的正向偏压(Si接负极)下可以获得来自于ZnO纳米棒阵列的紫外电抽运随机激光。
搜索关键词: 一种 氧化锌 纳米 阵列 抽运 随机 激光器
【主权项】:
1.一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器,其特征在于:在硅衬底(1)的正面自下而上依次生长有ZnO薄膜(2)、ZnO纳米棒阵列(3)、SiO2薄膜(4)和半透明电极(5),在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(6)。
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