[发明专利]一种将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法

摘要

本发明提供了一种将OTP存储器版图修改为ROM存储器版图的方法，其特征在于：1)OTP存储器版图包括：N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同第一层铝(一铝)的引线孔、一铝、连接一铝同第二层铝(二铝)的通孔、二铝；2)OTP存储器版图改为ROM存储器版图时，先将存储电路以及第一NMOS晶体管的多晶删除；3)需要烧录的存储电路的栅极与源极，在ROM存储器版图中通过引线孔将存储电路源极的N型有源区与存储电路的一铝连接。本发明基于一套OTP版图，只修改部分层次从而将OTP版图改为ROM版图，节省设计时间，降低设计风险、制版费用以及制造成本。

主权项

将OTP存储器版图改为ROM存储器版图的方法，特征在于在OTP存储器版图中将需要烧录击穿的存储电路结构的二端，在ROM存储器版图中通过短接实现；不需要烧录击穿的存储电路结构的二端，在ROM存储器版图中通过断开实现：1)按照版图层次，OTP存储器版图包括：N型有源区、多晶、连接N型有源区/多晶同一铝的引线孔、一铝、连接一铝同二铝的通孔、二铝；2)OTP存储器版图中存储电路上的多晶和一铝同属于存储单元的第一电压端P，同一行的各存储单元通过引线孔连接；3)OTP存储器版图改为ROM存储器版图时，先将存储电路以及第一NMOS晶体管的多晶删除；4)需要烧录的存储电路的栅极与源极，在ROM存储器版图中通过引线孔将存储电路源极的N型有源区与存储电路的一铝连接；所述的OTP存储器由一次性可编程单元包组成，一次性可编程单元包括：存储元件、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述需要烧录击穿元件为两端存储元件，存储元件的栅极连接第一电压端P，所述存储元件的源极连接所述第一NMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管的栅极连接第二电压端D，第一NMOS晶体管的源极连接所述第二NMOS晶体管漏极，第二NMOS晶体管的栅极连接行选择端R，第二NMOS晶体管的源极连接列选择端C。