[发明专利]掺锗的定向凝固铸造单晶硅及其制备方法

摘要

本发明公开了一种掺锗的定向凝固铸造单晶硅，含有浓度为1×10¹⁵～1×10¹⁷/cm³的硼、镓或磷，还含有浓度为1×10¹⁸～5×10²⁰/cm³的锗。本发明还公开了其制备方法，包括：将多晶硅、锗和电活性掺杂剂置于平铺在坩锅底部的无位错的单晶硅块上，通过热场调节，使多晶硅、锗和掺杂剂完全融化，无位错的单晶硅块部分融化，再通过热交换进行定向凝固，将未融化的部分无位错的单晶硅块作为籽晶，诱导从下至上生长掺锗铸造单晶硅。产物机械强度高、少子寿命高，可用于高效率的薄片太阳能电池的制备，生产成本大大降低。

主权项

1、一种掺锗的定向凝固铸造单晶硅，其特征在于：含有浓度为1×1015～1×1017/cm3的硼、镓或磷，还含有浓度为1×1018～5×1020/cm3的锗。